三星有自己的先进制程，却可能把下一代 HBM 的核心逻辑芯片交给最大的竞争对手台积电代工。推动这件事的是英伟达。
先把技术背景讲清楚。8 月 26 日，英伟达发布 NVHBM，这是基于 HBM4E 技术发展的定制高带宽内存。它最重要的变化发生在 HBM 底部的基底裸片：英伟达把原本位于 GPU 或其他 AI 加速器上的定制内存控制器，移到了这颗芯片内部。
普通内存像「远距仓库」，插在主板上，和计算芯片离得远，数据传输像走公路；HBM 是「贴身立体仓库」，十几层颗粒垂直堆叠，与计算芯片封装在同一个盒子里，带宽是普通内存的几十上百倍。把内存控制器挪进基底裸片，等于把接口电路从计算芯片上搬走，让出越来越珍贵的芯片面积给计算单元，同时缩短数据传输路径、改善效率。
争议点在「用谁的 3 纳米」
10 月 18 日，韩国《首尔经济日报》报道称，英伟达要求三星、SK 海力士和美光统一采用台积电 3 纳米工艺，为下一代定制 HBM 生产基底裸片。三星据称已接受这一安排，可能首次在 HBM 制造阶段引入最大的晶圆代工竞争对手。
三星的纠结可以理解。它一直把存储、晶圆代工和先进封装的一体化能力当作竞争优势，希望客户所需的关键芯片尽可能留在自己的工厂生产。但这次的选择题里，客户统一制程能显著降低多供应商的开发成本，而良率与交付确定性比「全在自己的厂里做」更重要。
另一条线索印证了布局：三星将利用其位于美国得州的第二座晶圆代工厂，为 AMD 和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片，该工厂预计本月正式动工。
三个层面的影响
- 台积电的边界再次扩张。从逻辑代工进入存储制造的基底环节，意味着它在 AI 芯片价值链上的位置更靠上游。存储厂与代工厂的界线，正在被产品结构本身模糊掉。
- HBM 的定制化程度提高。内存控制器进入基底裸片之后，HBM 不再是标准件，供应商之间的可替换性下降。客户锁定更深，议价方式也会变。
- 对追赶者的启示。基底裸片属于逻辑工艺，不是存储工艺，卡点在先进制程与良率——这正是国产 HBM 最需要补的一环。堆叠和封装可以追，基底裸片的制程代差很难绕。
为什么这件事值得关注
过去十年，存储和逻辑是两个相对独立的产业，各自有节奏。AI 把两者强行捆在一起：算力需要带宽，带宽需要堆叠，堆叠需要基底裸片，基底裸片需要先进制程。链条一长，任何一个环节的产能波动都会被放大到整机成本上。
英伟达在这里扮演的角色不只是客户，更像是规格制定者——它决定了 HBM 该长什么样、用谁的工艺做。这种「需求方定义供给」的结构，在 AI 时代会越来越常见。
信息来源：英伟达 NVHBM 发布（2026-08-26）、《首尔经济日报》（2026-10-18）、财联社（2026-11-03）。
